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B1012RW	文件：74.07 Kbytes Page：2 Pages	Compact1x2Inch10WWideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B1012RW	文件：187.96 Kbytes Page：2 Pages	B1000RWSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
BC1012KT	文件：615.17 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE High-SideSwitching LowOn-Resistance LowThreshold FastSwitchingSpeed ESDprotected APPLICATIONS Drivers:Relays,Solenoids,Lamps, BatteryOperatedSystems PowerSupplyConverterCircuits Load/PowerSwitchingCellPhones,Pagers Hammers,Displays,Memorie	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BCL-1012	文件：244.83 Kbytes Page：2 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor1/0AWGWire,StudSize1/2	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCL-1012-PL	文件：244.93 Kbytes Page：2 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor1/0AWGWire,StudSize1/2,Plated	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCL-1012-WP	文件：245.68 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor1/0AWGWire,StudSize1/2,Un-Plated,WidePad	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCW1012KW	文件：723.75 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS GENERRALDESCRIPTION ThisSingleN-ChannelMOSFEThasbeendesignedusingadvanced PowerTrenchprocesstooptimizetheRDS(ON). FEATURE High-SideSwitching LowOn-Resistance LowThreshold FastSwitchingSpeed ESDprotected APPLICATION Drivers:Relays,Solenoids,Lamps,Hammers,	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BF1012	文件：33.42 Kbytes Page：4 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHzOperatingvoltage12VIntegratedstabilizedbiasnetwork SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage12V •Integratedstabilizedbiasnetwork	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF1012S	文件：43.75 Kbytes Page：4 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHzOperatingvoltage5VIntegratedstabilizedbiasnetwork) SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V •Integratedstabilizedbiasnetwork	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF1012W	文件：359.34 Kbytes Page：3 Pages	SILICONN-CHANNELMOSFETTETRODE(Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz) SILICONN-CHANNELMOSFETTETRODE •Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage12V •IntegratedbiasNetwork	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

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详细参数

型号：
APE1012
功能描述：
通用继电器 RELAY POWER SLIM 6A 24VDC GOLD
RoHS：
否
制造商：
Omron Electronics
触点形式：
1 Form A(SPST-NO)
触点电流额定值：
150 A
线圈电压：
24 VDC
线圈电阻：
144 Ohms
线圈电流：
167 mA
切换电压：
400 V
安装风格：
Chassis

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