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BAS116-AU	文件：335.38 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltsPOWER250mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •AEC-Q101qualified •Leadfreeincomplyw	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116DY	文件：207.32 Kbytes Page：9 Pages	Low-leakagedualswitchingdiode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitching,electricallyisolateddualdiodeinanultrasmallSOT363 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowleakagecurrent:maximum5nA •Switchingtime:typical0.8μs •Continuousreversevoltage:maxi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116DY-Q	文件：207.19 Kbytes Page：9 Pages	Low-leakagedualswitchingdiode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitching,electricallyisolateddualdiodeinanultrasmallSOT363 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowleakagecurrent:maximum5nA •Switchingtime:typical0.8μs •Continuousreversevoltage:maxi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116GW	文件：207.58 Kbytes Page：11 Pages	Lowleakageswitchingdiode	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116GW-Q	文件：223.1 Kbytes Page：10 Pages	Lowleakageswitchingdiode 1.Generaldescription Lowleakageswitchingdiode,encapsulatedinanSOD123smallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr=0.8μs •Lowleakagecurrent:IR=3pA •RepetitivepeakreversevoltageVRRM≤85V •Lowcapacitance:	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116H	文件：51.47 Kbytes Page：9 Pages	75V,lowleakagediodeinsmallSOD123Fpackage Generaldescription Lowleakageswitchingdiode,encapsulatedinaSOD123FsmallSMDplasticpackage. Features ■SmallandflatleadSMDplasticpackage ■Lowleakagecurrent Applications ■General-purposeswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS116H	文件：804.6 Kbytes Page：10 Pages	Lowleakageswitchingdiode 1.1Generaldescription Lowleakageswitchingdiode,encapsulatedinaSOD123Fsmallandflatlead Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 1.2Featuresandbenefits SmallandflatleadSMDplasticpackage Lowleakagecurrent Excellentcoplanarityandimprovedthermalbehavior	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116HM	文件：1.05113 Mbytes Page：6 Pages	SwitchingDiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAS116HMFH	文件：1.05161 Mbytes Page：6 Pages	SwitchingDiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAS116HY	文件：1.48135 Mbytes Page：8 Pages	SwitchingDiode(Lowleakage) Features Highreliability Smallmoldtype LowIR Application Generalswitching Structure Epitaxialplanar	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
APD116DN-W
制造商：
IDEC CORPORATION
功能描述：
IZUMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科雨电子有限公司	APD140VD-E1	DIODES	1809+	DO-41	16750	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市易讯博科技有限公司	APD140VD-E1	DIODES	22+	NA	12080	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
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更多APD116DN-W供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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