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BAS116DY-Q中文资料安世数据手册PDF规格书

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厂商型号

BAS116DY-Q

功能描述

Low-leakage dual switching diode

丝印标识

2H

封装外壳

TSSOP6

文件大小

207.19 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

NEXPERIA

中文名称

安世

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数据手册

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更新时间

2025-12-11 15:08:00

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BAS116DY-Q规格书详情

1. General description

Epitaxial, medium-speed switching, electrically isolated dual diode in an ultra small SOT363

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

• Low leakage current: maximum 5 nA

• Switching time: typical 0.8 μs

• Continuous reverse voltage: maximum 75 V

• Repetitive peak reverse voltage: maximum 85 V

• Repetitive peak forward current: maximum 1 A

• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

• Low-leakage current applications in surface mounted circuits

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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