BAS116DY中文资料安世数据手册PDF规格书

厂商型号	BAS116DY
功能描述	Low-leakage dual switching diode
丝印标识	2H
封装外壳	TSSOP6
文件大小	207.32 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称	NEXPERIA【安世】
中文名称	安世半导体(中国)有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-7-3 7:29:00
人工找货	BAS116DY价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

1. General description

Epitaxial, medium-speed switching, electrically isolated dual diode in an ultra small SOT363

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

• Low leakage current: maximum 5 nA

• Switching time: typical 0.8 μs

• Continuous reverse voltage: maximum 75 V

• Repetitive peak reverse voltage: maximum 85 V

• Repetitive peak forward current: maximum 1 A

3. Applications

• Low-leakage current applications in surface mounted circuits

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