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AP9987GM	文件：214.69 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：214.69 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP9987GM_14	文件：214.69 Kbytes Page：5 Pages	Single Drive Requirement 文件：214.69 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP9987GM	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	APEC 富鼎先进	APEC
GC9987	文件：164.79 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Diodes TM Ultra High Drive Monolithic DESCRIPTION Microsemi’s Schottky Barrier devices are currently available in the eight junction ring quad configuration. Devices are available in monolithic form for hybrid applications as well as in hermetic or non-hermetic packages. Monolithic devices are recommended for highest frequency, broad 文件：164.79 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MAX9987	文件：287.4 Kbytes Page：12 Pages	14dBm to 20dBm LO Buffers/Splitters with 짹1dB Variation 文件：287.4 Kbytes 页数：12 Pages	MAXIM 美信	MAXIM
MAX9987	文件：242.35 Kbytes Page：7 Pages	Fully Assembled and Tested 文件：242.35 Kbytes 页数：7 Pages	MAXIM 美信	MAXIM

更多AP9987GM供应商更新时间2026-1-18 9:01:00