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FDD6680	文件：121.05 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6680	文件：199.03 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelPWMOptimizedPowerTrench??MOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheonstateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features •46A,30VRDS(ON)=10mΩ@V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6680	文件：121.05 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheonstateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features •46A,30VRDS(ON)=10mΩ@V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6680	文件：330.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=46A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD6680A	文件：200.47 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6680A	文件：126.83 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6680A	文件：331.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=56A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD6680A	文件：1.04329 Mbytes Page：4 Pages	N-channelAdvancedModePowerMOSFET Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDD6680AS	文件：123.02 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription TheFDD6680ASisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDD6680ASincludesanintegratedSchottkydiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6680AS	文件：332.08 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrench짰SyncFET?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
AP6680BGM-HF
制造商：
A-POWER
制造商全称：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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