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AP6679GH	文件：217.14 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. The through-hole version (AP6679GJ) is available for low-profile applications. ▼ Lower On-resistance ▼ Simple Driv 文件：217.14 Kbytes 页数：6 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP6679GH-HF	文件：222.51 Kbytes Page：6 Pages	Lower On-resistance, Simple Drive Requirement Description The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. The through-hole version (AP6679GJ) is available for low-profile applications. ▼Lower On-resistance ▼Simple Drive Req 文件：222.51 Kbytes 页数：6 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP6679GJ	文件：217.14 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. The through-hole version (AP6679GJ) is available for low-profile applications. ▼ Lower On-resistance ▼ Simple Driv 文件：217.14 Kbytes 页数：6 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP6679GJ-HF	文件：222.51 Kbytes Page：6 Pages	Lower On-resistance, Simple Drive Requirement Description The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. The through-hole version (AP6679GJ) is available for low-profile applications. ▼Lower On-resistance ▼Simple Drive Req 文件：222.51 Kbytes 页数：6 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP6679GM	文件：1.69426 Mbytes Page：5 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= -30V, ID= -12A RDS(ON) 文件：1.69426 Mbytes 页数：5 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
AP6679GM-HF	文件：1.69432 Mbytes Page：5 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= -30V, ID= -12A RDS(ON) 文件：1.69432 Mbytes 页数：5 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
AP6679GM-HF	文件：131.41 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement, Low On-resistance Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SO-8 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low 文件：131.41 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP6679GH	文件：1.023 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.023 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AP6679GH-HF	文件：1.023 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.023 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AP6679GH-HF	文件：105.44 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic 文件：105.44 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER

技术参数

Configuration：
Single
Type：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
RDS(ON) (mΩ max)/10V：
9
Ciss (pF)：
2870/4590
Qg (nC)：
42/67

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更多AP6679G供应商更新时间2025-12-25 8:31:00

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