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AP6679GM中文资料百域芯数据手册PDF规格书

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厂商型号

AP6679GM

功能描述

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

1.69426 Mbytes

页面数量

5

生产厂商

Bychip

中文名称

百域芯

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数据手册

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更新时间

2025-12-18 20:00:00

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AP6679GM规格书详情

特性 Features

VDS= -30V, ID= -12A

RDS(ON) < 9 mΩ @ VGS = -10V

RDS(ON) < 12 mΩ @ VGS = -4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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