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AP6679GM	文件：1.69426 Mbytes Page：5 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= -30V, ID= -12A RDS(ON) 文件：1.69426 Mbytes 页数：5 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
AP6679GM-HF	文件：1.69432 Mbytes Page：5 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= -30V, ID= -12A RDS(ON) 文件：1.69432 Mbytes 页数：5 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
AP6679GM-HF	文件：131.41 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement, Low On-resistance Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SO-8 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low 文件：131.41 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP6679GM-HF_14	文件：131.41 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement 文件：131.41 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP6679GM-HF_16	文件：100.59 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic 文件：100.59 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP6679GM	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	APEC 富鼎先进	APEC
AP6679GM-HF	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description\nAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.\nThe SO-8 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltag	APEC 富鼎先进	APEC

技术参数

Configuration：
Single
Type：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
25
IDS (A) Ta=25°C：
-14
Ciss (pF)：
3180/4580
Qg (nC)：
37/60

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更多AP6679GM供应商更新时间2026-1-30 15:08:00

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