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HCC4512BD	文件：303.47 Kbytes Page：24 Pages	Rad-hardhighvoltageCMOSlogicseries	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HCC4512BDG	文件：336.95 Kbytes Page：16 Pages	Rad-hard,highvoltage,CMOSlogicseries Features •ESCCqualified •18VAbsolutemaximumratings •3Vto15Voperatingvoltage •Hermeticpackages •Rad-hard100krad(Si)TID •SELimmuneupto119MeV.cm²/mg •SEUimmuneupto119MeV.cm²/mg •-55°Cto+125°Ctemperaturerange •ESCCspecificationavailableonESCCwebsi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HCC4512BDT	文件：336.95 Kbytes Page：16 Pages	Rad-hard,highvoltage,CMOSlogicseries Features •ESCCqualified •18VAbsolutemaximumratings •3Vto15Voperatingvoltage •Hermeticpackages •Rad-hard100krad(Si)TID •SELimmuneupto119MeV.cm²/mg •SEUimmuneupto119MeV.cm²/mg •-55°Cto+125°Ctemperaturerange •ESCCspecificationavailableonESCCwebsi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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HCC4512BK	文件：303.47 Kbytes Page：24 Pages	Rad-hardhighvoltageCMOSlogicseries	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HCC4512BKG	文件：336.95 Kbytes Page：16 Pages	Rad-hard,highvoltage,CMOSlogicseries Features •ESCCqualified •18VAbsolutemaximumratings •3Vto15Voperatingvoltage •Hermeticpackages •Rad-hard100krad(Si)TID •SELimmuneupto119MeV.cm²/mg •SEUimmuneupto119MeV.cm²/mg •-55°Cto+125°Ctemperaturerange •ESCCspecificationavailableonESCCwebsi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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