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GI40N03	文件：241.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET BVDSS30V RDS(ON)21mΩ ID36A Description TheGI40N03providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.Thethrough-holeversion(TO-251)isavailableforlow-profileapplicationsandsuitedforlowv	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GJ40N03	文件：242.23 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GU40N03	文件：283.72 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET BVDSS30V RDS(ON)17mΩ ID40A Description TheGU40N03providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-263packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicat	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
H40N03E	文件：54.65 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(25V,40A) Features •RDS(on)=16mΩ@VGS=10V,ID=20A •RDS(on)=25mΩ@VGS=4.5V,ID=20A •Advancedtrenchprocesstechnology •HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •ImprovedShoo	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
IRF40N03	文件：88.1 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELPowerMOSFET FEATURES ♦LowONResistance ♦LowGateCharge ♦PeakCurrentvsPulseWidthCurve ♦InductiveSwitchingCurves APPLICATION ♦FastSwitching ♦SimpleDriveRequirement ♦LowGateCharge	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF40N03	文件：90.5 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELPowerMOSFET [magic-matsu]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
ME40N03	文件：1.01583 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ME40N03P	文件：981 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ME40N03P-G	文件：980.93 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MI40N03	文件：1.01571 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
AP40N03GS
制造商：
A-POWER
制造商全称：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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