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ATI2305AABADJ	文件：1.67125 Mbytes Page：15 Pages	DC-DCConverter FEATURES Efficiencyupto96 Only40μA(TYP.)QuiescentCurrent OutputCurrentupto1A InternalSynchronousRectifier SwitchingFrequency:1.5MHz Under-VoltageLockout SoftStart ShortCircuitProtection ThermalShutdown 5-pinSmallSOT23-5,DFN2X26-PinandQFN3X3	ANALOGTECHNOLOGIES Analog Technologies, Inc.	ANALOGTECHNOLOGIES
ATI2305BJEADJ	文件：1.67125 Mbytes Page：15 Pages	DC-DCConverter FEATURES Efficiencyupto96 Only40μA(TYP.)QuiescentCurrent OutputCurrentupto1A InternalSynchronousRectifier SwitchingFrequency:1.5MHz Under-VoltageLockout SoftStart ShortCircuitProtection ThermalShutdown 5-pinSmallSOT23-5,DFN2X26-PinandQFN3X3	ANALOGTECHNOLOGIES Analog Technologies, Inc.	ANALOGTECHNOLOGIES
ATI2305CGFADJ	文件：1.67125 Mbytes Page：15 Pages	DC-DCConverter FEATURES Efficiencyupto96 Only40μA(TYP.)QuiescentCurrent OutputCurrentupto1A InternalSynchronousRectifier SwitchingFrequency:1.5MHz Under-VoltageLockout SoftStart ShortCircuitProtection ThermalShutdown 5-pinSmallSOT23-5,DFN2X26-PinandQFN3X3	ANALOGTECHNOLOGIES Analog Technologies, Inc.	ANALOGTECHNOLOGIES
BC2305	文件：878.21 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BLM2305	文件：232.43 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling
BU2305	文件：301.7 Kbytes Page：13 Pages	CRtimer	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BU2305F	文件：301.7 Kbytes Page：13 Pages	CRtimer	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CEH2305	文件：308.1 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEH2305	文件：718.13 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-4.9A,RDS(ON)=52mW@VGS=-10V. RDS(ON)=65mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=119mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEH2305A	文件：527.45 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-4.9A,RDS(ON)=52mW@VGS=-10V. RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. RoHScompliant. RDS(ON)=85mW@VGS=-2.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

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