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BU2305	文件：301.7 Kbytes Page：13 Pages	CR timer 文件：301.7 Kbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BU2305F	文件：301.7 Kbytes Page：13 Pages	CR timer 文件：301.7 Kbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
CEH2305	文件：308.1 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：308.1 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEH2305	文件：718.13 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -4.9A , RDS(ON) = 52mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 65mW @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 119mW @VGS = -2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. TSOP-6 package. RoHS compliant. 文件：718.13 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEH2305A	文件：527.45 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -4.9A, RDS(ON) = 52mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 60mW @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. TSOP-6 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 85mW @VGS = -2.5V. 文件：527.45 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS

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