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AP2304GN-HF	文件：100.88 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement, Small package outline 文件：100.88 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP2304GN-HF_14	文件：100.88 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement 文件：100.88 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP2304GN-HF_16	文件：62.88 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement 文件：62.88 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP2304N	文件：78.23 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ Simple Drive Requirement ▼ Small package outline ▼ Surface mount package 文件：78.23 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
ASI2304	文件：18.27 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI 2304 is Designed for General Purpose Class C Power Amplifier Applications up tp 3000 MHz. FEATURES: • PG = 9.5 dB min. at 4 W / 2300 MHz • Hermetic Microstrip Package • Omnigold™ Metalization System 文件：18.27 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
AT-2304	文件：221.61 Kbytes Page：3 Pages	Stripline Mounting Fixed Attenuators 文件：221.61 Kbytes 页数：3 Pages	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE

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更多AP2304GN-HF供应商更新时间2026-1-31 17:25:00