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AP2301SN	文件：441.26 Kbytes Page：18 Pages	丝印：DB；Package：U-DFN2020-6；2.0A SINGLE CHANNEL CURRENT-LIMITED POWER SWITCH 文件：441.26 Kbytes 页数：18 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
AP2302	文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages	3A DDR TERMINATION REGULATOR 文件：154.38 Kbytes 页数：13 Pages	BCDSEMI 新进半导体	BCDSEMI
AP2302AGN	文件：423.07 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：423.07 Kbytes 页数：6 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
AP2302AGN-HF	文件：99.87 Kbytes Page：4 Pages	Capable of 2.5V gate drive, Lower Gate Charge 文件：99.87 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP2302AGN-HF_14	文件：99.87 Kbytes Page：4 Pages	Surface mount package 文件：99.87 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP2302AGN-HF_16	文件：99.14 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Package 文件：99.14 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP2302D	文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages	3A DDR TERMINATION REGULATOR 文件：154.38 Kbytes 页数：13 Pages	BCDSEMI 新进半导体	BCDSEMI
AP2302D-E1	文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages	3A DDR TERMINATION REGULATOR 文件：154.38 Kbytes 页数：13 Pages	BCDSEMI 新进半导体	BCDSEMI
AP2302DTR	文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages	3A DDR TERMINATION REGULATOR 文件：154.38 Kbytes 页数：13 Pages	BCDSEMI 新进半导体	BCDSEMI
AP2302DTR-E1	文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages	3A DDR TERMINATION REGULATOR 文件：154.38 Kbytes 页数：13 Pages	BCDSEMI 新进半导体	BCDSEMI

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技术参数

Configuration：
Single
ESD：
N
VDS(min)：
20
Id at 25℃(max)：
5.2
Vgs(th) typ(V)：
±10
Rds(on) (typ)(@4.5V)：
25/31

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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