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AP2302DTR	文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages	3A DDR TERMINATION REGULATOR 文件：154.38 Kbytes 页数：13 Pages	BCDSEMI 新进半导体	BCDSEMI
AP2302DTR-E1	文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages	3A DDR TERMINATION REGULATOR 文件：154.38 Kbytes 页数：13 Pages	BCDSEMI 新进半导体	BCDSEMI
AP2302GN	文件：70.01 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Small package outline ▼ Surface mount package 文件：70.01 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP2302GN-HF	文件：102.12 Kbytes Page：4 Pages	Capable of 2.5V gate drive, Small package outline Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Small package outline ▼ Surface mount package ▼RoHS Compliant 文件：102.12 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP2302L	文件：131.34 Kbytes Page：12 Pages	2A DDR TERMINATION REGULATOR 文件：131.34 Kbytes 页数：12 Pages	BCDSEMI 新进半导体	BCDSEMI

更多AP2302DTR供应商更新时间2026-1-19 14:56:00