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AP1333GU	文件：1.01828 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP1333GU_11	文件：98.83 Kbytes Page：4 Pages	Simple Gate Drive, Small Package Outline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP1333GU-HF_14	文件：98.88 Kbytes Page：4 Pages	Small Package Outline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP1333GU-HF_16	文件：97.65 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP1333U	文件：99.96 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP1334GEU-HF	文件：58.36 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP1334GEU-HF_14	文件：58.36 Kbytes Page：4 Pages	Lower Gate Charge	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP133-SN	文件：970.11 Kbytes Page：14 Pages	300mA, LOW QUIESCENT CURRENT, FAST TRANSIENT LOW DROPOUT LINEAR REGULATOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
AP133-SNG-7	文件：970.11 Kbytes Page：14 Pages	300mA, LOW QUIESCENT CURRENT, FAST TRANSIENT LOW DROPOUT LINEAR REGULATOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
AP133-SNG-7	文件：415.15 Kbytes Page：15 Pages	300mA, LOW QUIESCENT CURRENT, FAST TRANSIENT	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
AP133
功能描述：
低压差稳压器 - LDO 0.3A 0.3V 2.0V-6.0V 0.8V
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
最大输入电压：
36 V
输出电压：
1.4 V to 20.5 V
回动电压（最大值）：
307 mV
输出电流：
1 A
负载调节：
0.3 %
输出类型：
Fixed
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-20

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