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AP133	文件：970.11 Kbytes Page：14 Pages	300mA, LOW QUIESCENT CURRENT, FAST TRANSIENT LOW DROPOUT LINEAR REGULATOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
AP133	文件：415.15 Kbytes Page：15 Pages	300mA, LOW QUIESCENT CURRENT, FAST TRANSIENT	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
AP1332GEV-HF	文件：64.459 Kbytes Page：4 Pages	Lower Gate Charge, Gate Pateded Diode Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,lowon-resistanceandcost-effectiveness. SC-75with1.6x1.6mmverysmallfootprintandsuitedforhandheldapplications. ▼LowerGateCharge ▼GatePatededDiode ▼SmallPackageOu	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP133_09	文件：415.15 Kbytes Page：15 Pages	300mA, LOW QUIESCENT CURRENT, FAST TRANSIENT	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
AP1332EU	文件：67.66 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP1332GEU	文件：58.69 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP1332GEU-HF	文件：61.93 Kbytes Page：4 Pages	Lower Gate Charge, Simple Gate Drive	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP1332GEU-HF_14	文件：61.93 Kbytes Page：4 Pages	Lower Gate Charge	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP1332GEU-HF_16	文件：64.25 Kbytes Page：5 Pages	RoHS Compliant & Halogen-Free	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP1333GU	文件：102.97 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER

详细参数

型号：
AP133
功能描述：
低压差稳压器 - LDO 0.3A 0.3V 2.0V-6.0V 0.8V
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
最大输入电压：
36 V
输出电压：
1.4 V to 20.5 V
回动电压（最大值）：
307 mV
输出电流：
1 A
负载调节：
0.3 %
输出类型：
Fixed
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-20

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