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AP1013K3J

Mou lded case for protection

文件:338.83 Kbytes 页数:2 Pages

OHMITE

BTA1013K3

PNP Epitaxial Planar Transistor

Features • Low VCE(SAT), VCE(SAT)= -387mV (Typ.) @ IC/IB=-1A/-100mA • High breakdown voltage, BVCEO=-160V • Complementary to BTC2383K3 • Pb-free lead plating and halogen-free package

文件:300.83 Kbytes 页数:7 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

AP1019

MSOP-10

AR

AP1084D18G-13

SOT23-6

DIODES

美台半导体

上传:深圳市卓芯电子有限公司

AP1110

QFN

RFIC

天芯科技

上传:深圳市达恩科技有限公司

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更多AP1013K3J供应商 更新时间2025-11-29 10:19:00