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AP1013K3J	文件：338.83 Kbytes Page：2 Pages	Mou lded case for protection	OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY 欧敏欧敏电阻制造公司	OHMITE
BTA1013K3	文件：300.83 Kbytes Page：7 Pages	PNPEpitaxialPlanarTransistor Features •LowVCE(SAT),VCE(SAT)=-387mV(Typ.)@IC/IB=-1A/-100mA •Highbreakdownvoltage,BVCEO=-160V •ComplementarytoBTC2383K3 •Pb-freeleadplatingandhalogen-freepackage	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC

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欧敏欧敏电阻制造公司

OHMITE

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PNPEpitaxialPlanarTransistor

Features •LowVCE(SAT),VCE(SAT)=-387mV(Typ.)@IC/IB=-1A/-100mA •Highbreakdownvoltage,BVCEO=-160V •ComplementarytoBTC2383K3 •Pb-freeleadplatingandhalogen-freepackage

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

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更多AP1013K3J供应商更新时间2025-7-24 10:19:00

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