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H01N60S	文件：62.65 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
H01N60SI	文件：62.65 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
H01N60SJ	文件：62.65 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
M01N60	文件：174.41 Kbytes Page：5 Pages	NChannelMOSFET [STANSONTECHNOLOGY] RobustHighVoltageTemination. AvalancheEnergySpecified Source-toDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscreteFastRecoveryDiode DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircurits IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature	STANSON Stanson Technology	STANSON
M01N60	文件：190.91 Kbytes Page：5 Pages	NChannelMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
MSL01N60	文件：593.74 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFETs	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
NDD01N60	文件：1.08604 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDD01N60	文件：136.15 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,8.5ohm	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD01N60	文件：136.15 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,8.5	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD01N60	文件：298.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
AP01N60P
制造商：
A-POWER
制造商全称：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	AP01N60P	SR	23+	TO-220	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	AP01N60P	APEC/富鼎	23+	TO-220	24190	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	AP01N60P	A-POWER	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
深圳市百域芯科技有限公司	AP01N60P	APEC/富鼎	21+	TO-220	6796	优势供应实单必成可13点增值税	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	AP01N60P	APEC/富鼎	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	AP01N60P	APEC/富鼎	2022+	TO-220	12888	原厂代理终端免费提供样品	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	AP01N60P	A	23+	TO-220	6000	原装正品，支持实单	询价
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更多AP01N60P供应商更新时间2025-7-21 9:01:00

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