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FDB8030L	文件：358.16 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogiclevelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. Features •80A,30V.RDS(ON)=0.0035Ω@VGS=10VRDS(ON)=0.0045Ω@VGS=4.5V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB8030L	文件：328.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDMC8030	文件：341.18 Kbytes Page：7 Pages	DualN-ChannelPowerTrench짰MOSFET40V,12A,10m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP8030L	文件：358.16 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogiclevelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. Features •80A,30V.RDS(ON)=0.0035Ω@VGS=10VRDS(ON)=0.0045Ω@VGS=4.5V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP8030L	文件：332.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FST8030	文件：87.28 Kbytes Page：3 Pages	80AmpRectifier20to45VoltsSchottkyBarrier Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
FYA-R8030ZX	文件：318.77 Kbytes Page：5 Pages	LEDBARGRAPHDISPLAY	FORYARDNingbo Foryard Optoelectronics Co., Ltd. 复洋宁波复洋光电有限公司	FORYARD
GSTU8030	文件：105.18 Kbytes Page：2 Pages	NPN300,350,400V8AMPSWITCHING	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IDTUS8030	文件：264.31 Kbytes Page：13 Pages	LOWPOWERDUALSPDTHI-SPEEDUSB2.0(480MBPS)SWITCH	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDTUS8030	文件：263.65 Kbytes Page：13 Pages	LOWPOWERDUALSPDTHI-SPEEDUSB2.0(480MBPS)SWITCH Features •LowOncapacitance,3.7pF(typical) •LowOnresistance,6.5Ω(typical) •Lowpowerconsumption(1μAmaximum) –10μAmaximumICCToveranexpandedcontrol voltagerange(VIN=2.6V,VCC=4.3V) •Wide-3dBbandwidth,>850MHz •Bi-directionaloperation •8kVESDprotection •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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详细参数

型号：
AOZ8030
制造商：
AOSMD
制造商全称：
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述：
8-Line EMI Filter with Integrated ESD Protection

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更多AOZ8030供应商更新时间2025-7-12 15:01:00

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