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AOT8B65M3

650V,8A Alpha IGBT TM With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode

General Description • Latest AlphaIGBT (αIGBT) technology • 650V breakdown voltage • Very fast and soft recovery freewheeling diode • High efficient turn-on di/dt controllability • Low VCE(sat) enables high efficiencies • Low turn-off switching loss and softness • Very good EMI behavior •

文件:589.76 Kbytes 页数:9 Pages

AOSMD

万国半导体

AOT8B65M3

AlphaIGBT™

AlphaIGBT 提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能,从而实现更大的安全设计空间。可控的接通di/dt可有效降低EMI设计,适用于大多数家用电器、工业和汽车应用。\n\n• 更低的导通损耗\n• 更低的开关损耗\n• 更低的EMI性能\n• 更高的坚固性

AOS

美国万代

AOTF10N65

TO220F

AOTF11N70

TO-220F

AOTF11S60L

TO-220F

技术参数

  • Package:

    TO220

  • Configuration:

    IGBT with Anti-Parallel Diode

  • Qg (nC):

    14

  • Qrr (nC):

    240

  • VF (V):

    1.80

  • VCE max (V):

    650

  • VCE(SAT) typ (V):

    2.05

  • Ic max @ 25C (A):

    16

  • Ic max @ 100C (A):

    8

  • EON (mJ):

    0.13

  • EOFF (mJ):

    0.11

  • IRM (A):

    2.78

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更多AOT8B65M3供应商 更新时间2026-1-29 14:15:00