| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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1年
留言
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AOSTO220F |
62000 |
17+ |
原装现货本公司只卖原装货 |
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18年
留言
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AOS万代TO-220 |
250 |
2010 |
全新原装 正品现货 |
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9年
留言
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ADI/亚德诺N/A |
66900 |
25+ |
只做原装,只有原装 |
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15年
留言
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AOS/万代TO-220F |
45000 |
25+ |
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AOS/万代全新现货AOTF4N60即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
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2年
留言
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AOS/万代TSOP-6 |
18000 |
26+ |
原装正品,可配单,支持实单 |
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17年
留言
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AOSTO220 |
6500 |
25+ |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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13年
留言
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AOS原厂原装正品 |
8000 |
24+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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AOSN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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9年
留言
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AOS/万代TSOP-6 |
3000 |
23+ |
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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低 |
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AOSTSOP-6 |
15000 |
23+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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13年
留言
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AOTSMDLED |
6000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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13年
留言
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AOSTO-220 |
98961 |
25+ |
原厂代理MOS管,原装现货 |
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4年
留言
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AOSTO220 |
7850 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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12年
留言
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AOS/万代TO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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8年
留言
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AOSTO220 |
9800 |
24+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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11年
留言
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AOSTO-220F |
6885 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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6年
留言
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AOS/万代TO-220 |
20 |
10+ |
原装进口无铅现货 |
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6年
留言
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ALPHA and OMEGA SEMICONDUCTORSMD |
918000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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13年
留言
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AO/万代TO-220F |
9865 |
26+ |
原装MOS管(场效应管). |
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15年
留言
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AOS/ 万代TO-220F |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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AOT1N60价格
AOT1N60价格:¥1.2521品牌:Alpha
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AOT10N65功能描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOT1100L功能描述:MOSFET N CH 100V 92A TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOT11C60制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Plastic Encapsulated Device
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AOT11N70功能描述:MOSFET N-CH 700V 11A TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件































