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AON4407	文件：30.53 Kbytes Page：3 Pages	Plastic Encapsulated Device 文件：30.53 Kbytes 页数：3 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON4407	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 12V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AON4407L	文件：164.88 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AON4407L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch. -RoHS Compliant -Halogen Free Features VDS (V) = -12V ID = -9 A (VGS = -4.5V 文件：164.88 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AP4407F	文件：80.35 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 isolation package is universally preferred for all commercial-industrial applications and suited for l 文件：80.35 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4407GM	文件：72.36 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30V RDS(ON) 14mΩ ID -10.7A Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SO-8 package is universally preferred for all commercial-indust 文件：72.36 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4407GM	文件：996.4 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：996.4 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Package：
DFN3x2A-8L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-12
VGS (±V)：
8
4.5V：
20
2.5V：
25
1.8V：
31
ID @ 25°C (A)：
-9
PD @ 25°C (W)：
2.50
Qg (4.5V)(nC)：
19
VGS(th) max (V)：
-0.85
Ciss (pF)：
1740
Coss (pF)：
334
Crss (pF)：
200
Qgd (nC)：
5.30
tD(on) (ns)：
240
tD(off) (ns)：
7000
Trr (ns)：
22
Qrr (nC)：
17
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150

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更多AON4407供应商更新时间2025-12-13 11:05:00

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