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AP4407F	文件：80.35 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220isolationpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsandsuitedforl	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4407GM	文件：72.36 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET BVDSS-30V RDS(ON)14mΩ ID-10.7A Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSO-8packageisuniversallypreferredforallcommercial-indust	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4407GM	文件：996.4 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP4407GM-HF	文件：1.00174 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AP4407GM-HF	文件：213.84 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement,LowOn-resistance BVDSS-30V RDS(ON)14mΩ ID-10.7A Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSO-8packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurf	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4407GM-HF	文件：996.38 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP4407GP	文件：223.98 Kbytes Page：6 Pages	LowerOn-resistance,SimpleDriveRequirement Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-263packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvo	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4407GP-HF	文件：59.48 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4407GR	文件：69.49 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ▼LowerOn-resistance ▼SimpleDriveRequirement ▼FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4407GS	文件：223.98 Kbytes Page：6 Pages	LowerOn-resistance,SimpleDriveRequirement Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-263packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvo	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER

详细参数

型号：
AP4407F
制造商：
A-POWER
制造商全称：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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