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AP4407GP	文件：223.98 Kbytes Page：6 Pages	Lower On-resistance, Simple Drive Requirement Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-263 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low vo 文件：223.98 Kbytes 页数：6 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4407GP-HF	文件：59.48 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement 文件：59.48 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4407GP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	APEC 富鼎先进	APEC
AP4407GR	文件：69.49 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ Lower On-resistance ▼ Simple Drive Requirement ▼ Fast Switching Characteristic 文件：69.49 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4407GS	文件：223.98 Kbytes Page：6 Pages	Lower On-resistance, Simple Drive Requirement Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-263 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low vo 文件：223.98 Kbytes 页数：6 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4407GS-HF	文件：59.48 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement 文件：59.48 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER

技术参数

Configuration：
Single
Type：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
25
RDS(ON) (mΩ max)/10V：
14
RDS(ON) (mΩ max)/4.5V：
23
Ciss (pF)：
2120/3390
Qg (nC)：
35/60

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更多AP4407GP供应商更新时间2026-3-16 16:00:00

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