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BU1208	文件：99.15 Kbytes Page：6 Pages	EnhancedPowerBridgeRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BU1208	文件：150.44 Kbytes Page：6 Pages	EnhancedisoCink??BridgeRectifiers FEATURES •ULrecognitionfilenumberE312394 •Thinsinglein-linepackage •Glasspassivatedchipjunction •AvailableforBU-5Sleadformingoption (partnumberwith“5S”suffix,e.g.BU12065S) •Superiorthermalconductivity •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialca	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
C1208	文件：73.6 Kbytes Page：1 Pages	CONTROLCABLE	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CAP1208	文件：605.61 Kbytes Page：67 Pages	8-ChannelCapacitiveTouchSensor	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
CDCLVD1208	文件：786.58 Kbytes Page：21 Pages	2:8LowAdditiveJitterLVDSBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CDCLVD1208RHDR	文件：786.58 Kbytes Page：21 Pages	2:8LowAdditiveJitterLVDSBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CDCLVD1208RHDT	文件：786.58 Kbytes Page：21 Pages	2:8LowAdditiveJitterLVDSBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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详细参数

型号：
AOL1208
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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