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BRF1N60	文件：998.78 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BRI1N60	文件：864.03 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-251PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
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CS1N60F	文件：403.24 Kbytes Page：5 Pages	VDMOS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
D1N60	文件：300.45 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeRectifiers(600V1A) FEATURES ●Highvoltage ●Highreliabilitywithsuperiormoistureresistance ●5mmpitchmountingapplicable APPLICATION ●ConventionalRectification ●Powersource(PowerSupply) ●HomeAppliances,OfficeEquipment ●Telecommunication,FactoryAutomation	SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd 日本新电元工业株式会社	SHINDENGEN
DTL1N60	文件：4.09167 Mbytes Page：12 Pages	PowerMOSFETAvailableinTapeandReel	DINTEK Din-Tek Semiconductor	DINTEK
DTP1N60	文件：4.09167 Mbytes Page：12 Pages	PowerMOSFETAvailableinTapeandReel	DINTEK Din-Tek Semiconductor	DINTEK
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FIR1N60ABPG	文件：5.47622 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR1N60ALG	文件：6.05177 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER

详细参数

型号：
AOI1N60L
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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