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AOD446	文件：146.55 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOD446 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. Standard Product AOD446 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD4 文件：146.55 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD446	文件：309.35 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 10A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 75V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 140mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-L 文件：309.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD446	文件：1.008 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：1.008 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOD446	文件：198.98 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：198.98 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD446	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AOD446L	文件：146.55 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOD446 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. Standard Product AOD446 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD4 文件：146.55 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD446_08	文件：198.98 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：198.98 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD446_001	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 75V TO-252	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.

技术参数

Status：
Last Time Buy
Recommended Replacement：
AOD2922
Package：
TO252
Configuration：
Single - N
Vds/V：
75
Vgs/V：
25
Id(A)(25℃)：
10
Id(A)(75℃)：
10
Pd(W)(25℃)：
20
Pd(W)(75℃)：
10
Rds (on) mΩ max(10V)：
140
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
165
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.5V)：
0
Qg (nC)：
5.2

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