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AOD2N60	文件：148.19 Kbytes Page：6 Pages	2A, 600V N-Channel MOSFET General Description The AOD2N60 & AOU2N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capabilit 文件：148.19 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD2N60	文件：332.62 Kbytes Page：6 Pages	600V, 2A N-Channel MOSFET 文件：332.62 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD2N60	文件：309.65 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD2N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V, 2A N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AOD2N60_10	文件：332.62 Kbytes Page：6 Pages	600V, 2A N-Channel MOSFET 文件：332.62 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD2N60A	文件：434.36 Kbytes Page：6 Pages	600V,2A N-Channel MOSFET 文件：434.36 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD2N60A	文件：2.64038 Mbytes Page：6 Pages	600V,2A N-Channel MOSFET 文件：2.64038 Mbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD2N60A	文件：309.77 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD2N60A	文件：1.08591 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08591 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOD2N60A	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V,2A N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
2
PD @ 25°C (W)：
56.80
10V：
4400
Qg (10V)(nC)：
9.50
VGS(th) max (V)：
5
Ciss (pF)：
270
Coss (pF)：
29
Crss (pF)：
2.80
Qgd (nC)：
4.70
tD(on) (ns)：
17.20
tD(off) (ns)：
27
Trr (ns)：
154
Qrr (nC)：
800
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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更多AOD2N60供应商更新时间2025-12-24 10:21:00

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