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厂商型号

AOD2N60

功能描述

2A, 600V N-Channel MOSFET

文件大小

148.19 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

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数据手册

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更新时间

2026-2-9 16:38:00

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AOD2N60规格书详情

General Description

The AOD2N60 & AOU2N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline power supply

designs.

VDS 700V@150℃

ID (at VGS=10V) 2A

RDS(ON) (at VGS=10V)

产品属性

  • 型号:

    AOD2N60

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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