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AOD2810	文件：294.28 Kbytes Page：6 Pages	80V N-Channel MOSFET 文件：294.28 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD2810	文件：361.35 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：361.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD2810	文件：1.03091 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 文件：1.03091 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOD2810	文件：1.62326 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.62326 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AOD2810	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 80V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
80
VGS (±V)：
20
10V：
8.50
6V：
12
ID @ 25°C (A)：
46
PD @ 25°C (W)：
100
Qg (10V)(nC)：
26.50
VGS(th) max (V)：
3.40
Ciss (pF)：
1871
Coss (pF)：
265
Crss (pF)：
14
Qgd (nC)：
4
tD(on) (ns)：
11.50
tD(off) (ns)：
21.50
Trr (ns)：
32
Qrr (nC)：
162
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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