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AOD11S60	文件：400.26 Kbytes Page：7 Pages	600V 11A a MOS Power Transistor General Description The AOD11S60 & AOI11S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability th 文件：400.26 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD11S60	文件：308.56 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：308.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD11S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 11A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOI11S60	文件：316.76 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：316.76 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOI11S60	文件：400.26 Kbytes Page：7 Pages	600V 11A a MOS Power Transistor General Description The AOD11S60 & AOI11S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability th 文件：400.26 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT11S60	文件：297.68 Kbytes Page：6 Pages	600V 11A a MOS Power Transistor General Description The AOT11S60& AOB11S60 & AOTF11S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche 文件：297.68 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
11
PD @ 25°C (W)：
208
10V：
399
Qg (10V)(nC)：
11
VGS(th) max (V)：
4.10
Ciss (pF)：
545
Coss (pF)：
37.30
Crss (pF)：
1.42
Qgd (nC)：
3.80
tD(on) (ns)：
20
tD(off) (ns)：
59
Trr (ns)：
250
Qrr (nC)：
3300
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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