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AOI11S60中文资料万国半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

AOI11S60

功能描述

600V 11A a MOS Power Transistor

文件大小

400.26 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-11 23:01:00

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AOI11S60规格书详情

General Description

The AOD11S60 & AOI11S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications.

By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline power supply designs.

Product Summary

VDS @ Tj,max 700V

IDM 45A

RDS(ON),max 0.399Ω

Qg,typ 11nC

Eoss @ 400V 2.7µJ

100 UIS Tested

100 Rg Tested

产品属性

  • 型号:

    AOI11S60

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 11A TO251A

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    aMOS™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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