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AO8814	文件：119.06 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO8814usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswit	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8814	文件：422.04 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8814	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET;	MTW 美台微	MTW
AO8814	文件：300 bytes Page：1 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor;	XWXWSEMI (Shenzhen) Co., Ltd 芯微半导体芯微半导体（深圳）有限公司	XW
AO8814	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管;	HXY MOSFETShenzhen Huaxuanyang Electronics Co., Ltd. 华轩阳电子深圳市华轩阳电子有限公司	HXY MOSFET
AO8814L	文件：119.06 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO8814usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswit	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8814_10	文件：422.04 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TSSOP-8L
Configuration：
Common Drain
Polarity：
N
VDS (V)：
20
10V：
16
4.5V：
18
2.5V：
24
1.8V：
34
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
7.50
PD @ 25°C (W)：
1.50
Qg (4.5V)(nC)：
15.40
VGS(th) max (V)：
1
Ciss (pF)：
1390
Coss (pF)：
190
Crss (pF)：
150
Qgd (nC)：
4
tD(on) (ns)：
6.20
tD(off) (ns)：
40.50
Trr (ns)：
15
Qrr (nC)：
5.10
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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