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AO8814中文资料PDF规格书

AO8814
厂商型号

AO8814

功能描述

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

119.06 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Alpha & Omega Semiconductors
企业简称

AOSMD万国半导体

中文名称

美国万国半导体官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-4-28 22:58:00

AO8814规格书详情

General Description

The AO8814 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. Standard Product AO8814is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO8814L is a Green Product ordering option. AO8814 and AO8814L are electrically identical

Features

VDS (V) = 20V

ID = 7.5 A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 16mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) < 18mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 24mΩ (VGS = 2.5V)

RDS(ON) < 34mΩ (VGS = 1.8V)

ESD Rating: 2500V HBM

产品属性

  • 型号:

    AO8814

  • 功能描述:

    MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

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