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AO8814规格书详情
General Description
The AO8814 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. Standard Product AO8814is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO8814L is a Green Product ordering option. AO8814 and AO8814L are electrically identical
Features
VDS (V) = 20V
ID = 7.5 A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 16mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON) < 18mΩ (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 24mΩ (VGS = 2.5V)
RDS(ON) < 34mΩ (VGS = 1.8V)
ESD Rating: 2500V HBM
产品属性
- 型号：
AO8814
- 功能描述：
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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