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AO8814	文件：119.06 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO8814usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswit	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8814	文件：422.04 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8814L	文件：119.06 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO8814usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswit	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8814_10	文件：422.04 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
APW8814	文件：475.23 Kbytes Page：24 Pages	High-PerformanceNotebookPWMController	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APW8814QBI-TRG	文件：475.23 Kbytes Page：24 Pages	High-PerformanceNotebookPWMController	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
DAC8814	文件：264.15 Kbytes Page：31 Pages	Quad,SerialInput16-BitMultiplyingDigital-to-AnalogConverter	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
DAC8814	文件：3.39063 Mbytes Page：27 Pages	Quad,SerialInput16-BitMultiplyingDigital-to-AnalogConverter	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
DAC8814B	文件：3.39063 Mbytes Page：27 Pages	Quad,SerialInput16-BitMultiplyingDigital-to-AnalogConverter	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
DAC8814C	文件：3.39063 Mbytes Page：27 Pages	Quad,SerialInput16-BitMultiplyingDigital-to-AnalogConverter	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
AO8814
功能描述：
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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更多AO8814供应商更新时间2025-5-24 10:02:00

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