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AO6603L
厂商型号

AO6603L

功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

283 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Alpha & Omega Semiconductors
企业简称

AOSMD万国半导体

中文名称

美国万国半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-5 22:36:00

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AO6603L规格书详情

General Description

The AO6603 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. Standard Product AO6603 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6603L is a Green Product ordering option. AO6603 and AO6603L are electrically identical.

Features

n-channel p-channel

VDS (V) = 20V -30V

ID = 1.7 (VGS = 4.5V) -2.5A

RDS(ON)

< 225mΩ (VGS = 4.5V) < 135mΩ (VGS = -10V)

< 290mΩ (VGS = 2.5V) < 185mΩ (VGS = 2.5V)

产品属性

  • 型号:

    AO6603L

  • 制造商:

    AOSMD

  • 制造商全称:

    Alpha & Omega Semiconductors

  • 功能描述:

    Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

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