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IRF5803	文件：109.38 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-40V) Description TheseP-channelHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplicati	IRF International Rectifier	IRF
IRF5803PBF	文件：207.68 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseP-channelHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplicatio	IRF International Rectifier	IRF
IRF5803PBF	文件：302.1 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF5803TRPBF	文件：1.98673 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF5803TRPBF	文件：207.68 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
KSC5803	文件：90.97 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageColorDisplayHorizontalDeflectionOutput(NoDamperDiode) HighVoltageColorDisplayHorizontalDeflectionOutput (NoDamperDiode) •HighBreakdownVoltage:BVCBO=1500V •HighSpeedSwitching:tF=0.1µs(Typ.) •WideS.O.A •ForC-Monitor(85KHz)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSC5803D	文件：90.93 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageColorDisplayHorizontalDeflectionOutput HighVoltageColorDisplayHorizontalDeflectionOutput (DamperDiodeBuiltIn) •HighBreakdownVoltage:BVCBO=1500V •HighSpeedSwitching:tF=0.1µs(Typ.) •WideS.O.A •ForC-Monitor(85KHz)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
LV5803M	文件：119.82 Kbytes Page：6 Pages	Step-downSwitchingRegulator	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LV5803M	文件：115.4 Kbytes Page：5 Pages	Bi-CMOSICStep-downSwitchingRegulator	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LV5803M-TE-L-E	文件：119.82 Kbytes Page：6 Pages	Step-downSwitchingRegulator	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

详细参数

型号：
AO5803E
功能描述：
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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