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AO4459	文件：572.42 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4459；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET Product Summary VDS = -30V ID = -6.5 A RDS(ON) 文件：572.42 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4459	文件：511.68 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4459；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET General Description The AO4459 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS = -30V ID = -6.5 A RDS(ON) 文件：511.68 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4459	文件：1.55167 Mbytes Page：3 Pages	丝印：4459；Package：SOP8；P-Channel Power MOSFET Application \| « Reverse Battery protection « Load switch \| « Power management « PWM Appiication 文件：1.55167 Mbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
AO4459	文件：131.039 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4459 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard product AO4459 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4459L is a Green Product orde 文件：131.039 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4459	文件：2.072929 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-6.5 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：2.072929 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4459	文件：959.57 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：959.57 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4459	文件：2.81514 Mbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description The AO4459 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS -30V ID (at VGS=-10V) 文件：2.81514 Mbytes 页数：6 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4459	文件：604.8 Kbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：604.8 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4459	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 30V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO4459-HF	文件：2.81101 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-6.5 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：2.81101 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
46
4.5V：
72
ID @ 25°C (A)：
-6.50
PD @ 25°C (W)：
3.10
Qg (4.5V)(nC)：
4.60
Qg (10V)(nC)：
9.20
VGS(th) max (V)：
-2.40
Ciss (pF)：
520
Coss (pF)：
100
Crss (pF)：
65
Qgd (nC)：
2.20
tD(on) (ns)：
7.50
tD(off) (ns)：
19
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
5.30
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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更多AO4459供应商更新时间2025-10-7 10:03:00

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