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AO3415A-HF

P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) =-20V ● ID =-5 A (VGS =-4.5V) ● RDS(ON)

文件:2.04064 Mbytes 页数:4 Pages

KEXIN

科信电子

AO3415AL

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO3415AL uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch applications. - RoHS Compliant - Halogen Free Product Summary Parameter VDS

文件:268.82 Kbytes 页数:5 Pages

AOSMD

万国半导体

AO3415AS

P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) =-20V ● ID =-4A (VGS =-4.5V) ● RDS(ON)

文件:1.6942 Mbytes 页数:4 Pages

KEXIN

科信电子

AO3415AS-HF

P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) =-20V ● ID =-4A (VGS =-4.5V) ● RDS(ON)

文件:2.02455 Mbytes 页数:4 Pages

KEXIN

科信电子

AO3415_11

20V P-Channel MOSFET

文件:288.62 Kbytes 页数:5 Pages

AOSMD

万国半导体

AO3415A

20V P-Channel MOSFET

文件:325.4 Kbytes 页数:5 Pages

AOSMD

万国半导体

AO3415A

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:1.02311 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AO3415A_11

20V P-Channel MOSFET

文件:325.4 Kbytes 页数:5 Pages

AOSMD

万国半导体

AO3415A-3

P-Channel MOSFET

文件:1.72172 Mbytes 页数:4 Pages

KEXIN

科信电子

AO3415A-HF-3

P-Channel MOSFET

文件:2.074429 Mbytes 页数:4 Pages

KEXIN

科信电子

技术参数

  • VDS(V):

    -20

  • VGS(th) ±(V):

    -8

  • LD(A):

    -4

  • RDS(ON)(Ω):

    0.041

  • RDS(ON)VGS(V):

    4.5

  • RDS(ON)ID(A):

    3

  • VGS(th)Min(V):

    0.4

  • VGS(th)Max(V):

    -0.9

  • Package Type:

    SOT-23

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更多AO3415供应商 更新时间2025-10-8 10:01:00