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AO3415	文件：116.47 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor [Alpha & Omega Semiconductors] General Description The AO3415 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. AO3415 is 文件：116.47 Kbytes 页数：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AO3415	文件：1.72217 Mbytes Page：3 Pages	P-Channel Mosfet Product Summary Vos=-20V,ID =-4A RDS(ON) 文件：1.72217 Mbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
AO3415	文件：2.01661 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET Features VDS (V) =-20V ID =-5 A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 文件：2.01661 Mbytes 页数：5 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO3415	文件：1.024089 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：1.024089 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO3415	文件：288.62 Kbytes Page：5 Pages	丝印：AF**；Package：SOT-23；20V P-Channel MOSFET 文件：288.62 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3415	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号MOSFET	SXSEMI 瞬芯	SXSEMI
AO3415	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	MTW 美台微	MTW
AO3415	文件：300 bytes Page：1 Pages	-20V/-4.2A P Channel Advanced Power MOSFET	XW 芯微半导体	XW
AO3415A	文件：1.75721 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-20V ● ID =-5 A (VGS =-4.5V) ● RDS(ON) 文件：1.75721 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3415A	文件：593.91 Kbytes Page：3 Pages	丝印：XFDX；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS FEATURE Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltages 文件：593.91 Kbytes 页数：3 Pages	UMW 友台半导体	UMW

技术参数

VDS(V)：
-20
VGS(th) ±(V)：
-8
LD(A)：
-4
RDS(ON)(Ω)：
0.041
RDS(ON)VGS(V)：
4.5
RDS(ON)ID(A)：
3
VGS(th）Min(V)：
0.4
VGS(th）Max(V)：
-0.9
Package Type：
SOT-23

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