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AO3400	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管	Haochang 浩畅	Haochang
AO3400A	文件：279.75 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3400A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO3400A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). Features • VDS (V) = 30V • 文件：279.75 Kbytes 页数：4 Pages	ALPHA	ALPHA
AO3400A	文件：1.90137 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel enhancement mode field effect transistor ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 5.7 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.90137 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3400A	文件：914.26 Kbytes Page：6 Pages	丝印：3400；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The AO3400A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features ● VDS = 30V,ID = 5.8A RDS(ON) 文件：914.26 Kbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
AO3400A	文件：753.91 Kbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFET General Description The AO3400A combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Product summary VDS 30V ID (at VGS=10V) 5.7A RDS(ON 文件：753.91 Kbytes 页数：5 Pages	KERSEMI	KERSEMI
AO3400A	文件：1.30392 Mbytes Page：5 Pages	丝印：X0DV22；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Features VDS (V) = 30V ID = 5.8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 27m (VGS = 10V) RDS(ON) 31m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 48m (VGS = 2.5V) 文件：1.30392 Mbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO3400A	文件：1.53822 Mbytes Page：5 Pages	丝印：X0DV；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Features VDS (V) = 30V ID = 5.8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：1.53822 Mbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO3400A-HF	文件：2.41941 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 5.7 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.41941 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3400L	文件：110.54 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3400 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO3400 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 spec 文件：110.54 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3400_11	文件：477.74 Kbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFET 文件：477.74 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SOT23
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
26.50
4.5V：
32
2.5V：
48
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
5.70
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (4.5V)(nC)：
6
VGS(th) max (V)：
1.45
Ciss (pF)：
630
Coss (pF)：
75
Crss (pF)：
50
Qgd (nC)：
1.80
tD(on) (ns)：
3
tD(off) (ns)：
25
Trr (ns)：
8.50
Qrr (nC)：
2.60
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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