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AO3400	文件：110.54 Kbytes Page：4 Pages	丝印：A0**；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3400 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO3400 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 spec 文件：110.54 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3400	文件：1.85432 Mbytes Page：3 Pages	30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.8A 文件：1.85432 Mbytes 页数：3 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
AO3400	文件：1.12086 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel enhancement mode field effect transistor ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 5.8 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 28m (VGS = 10V) ● RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V) ● RDS(ON) 52m (VGS = 2.5V) 文件：1.12086 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3400	文件：776.06 Kbytes Page：6 Pages	N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package Descriptions N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. Features VDS (V) = 30V ID = 5.8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：776.06 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
AO3400	文件：1.02695 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：1.02695 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO3400	文件：1.58615 Mbytes Page：5 Pages	丝印：A0H；Package：SOT23-3L；N-Channel Enhancement MOSFET Features VDS (V) = 30V ID = 5.8 A (VGS = 10V) RDS(ON) m (VGS = 10V) RDS(ON) 3 m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 52m (VGS = 2.5V) 文件：1.58615 Mbytes 页数：5 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
AO3400	文件：1.32943 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET Features VDS (V) = 30V ID = 5.8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：1.32943 Mbytes 页数：5 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO3400A	文件：753.91 Kbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFET General Description The AO3400A combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Product summary VDS 30V ID (at VGS=10V) 5.7A RDS(ON 文件：753.91 Kbytes 页数：5 Pages	KERSEMI	KERSEMI
AO3400A	文件：1.30392 Mbytes Page：5 Pages	丝印：X0DV22；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Features VDS (V) = 30V ID = 5.8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 27m (VGS = 10V) RDS(ON) 31m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 48m (VGS = 2.5V) 文件：1.30392 Mbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO3400A	文件：1.53822 Mbytes Page：5 Pages	丝印：X0DV；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Features VDS (V) = 30V ID = 5.8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：1.53822 Mbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW

技术参数

Package：
SOT23
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-20
VGS (±V)：
8
4.5V：
80
2.5V：
100
1.8V：
130
ID @ 25°C (A)：
-3
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (4.5V)(nC)：
8.50
VGS(th) max (V)：
-1
Ciss (pF)：
560
Coss (pF)：
80
Crss (pF)：
70
Qgd (nC)：
2.10
tD(on) (ns)：
7.20
tD(off) (ns)：
53
Trr (ns)：
37
Qrr (nC)：
27
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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