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BFR183	文件：618.94 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR183	文件：286.19 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFR183	文件：80.14 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR183	文件：56.83 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentfrom2mAto30mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlow-noise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA •fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFR183F	文件：52.9 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom2mAto30mA •fT=8GHz,F=0.9dBat900MHz *Shorttermdescription	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR183T	文件：68.7 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •Highpowergain Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR183T	文件：80.94 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata •Forlow-noise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA •fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR183TF	文件：72.49 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages.Inadditiontos	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR183TW	文件：68.7 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •Highpowergain Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR183W	文件：56.33 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentfrom2mAto30mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlow-noise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA •fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFR183W	文件：79.84 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR183W	文件：140.84 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR183W	文件：287.01 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFR183W	文件：672.73 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY183	文件：122.83 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor) Features •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,highgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz,F=2.3dBat2GHz •eesaqualified •ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
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BFY183	文件：42.6 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY183ES	文件：42.6 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY183H	文件：42.6 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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详细参数

型号：
AMC-183
制造商：
MA-COM
制造商全称：
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
功能描述：
Cascadable Thin Film Amplifier 28.5 dB Gain, 10 - 1000 MHz

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
千层芯半导体(深圳)有限公司	AMC-183	M/A-COM	2018+	SMD	1680	M/A-COM专营品牌进口原装现货假一赔十	询价
深圳市湘达电子有限公司	AMC-183-SMA	M/A-COM	20+	NA	1000	全新原装现货,一片也是批量价。	询价
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更多AMC-183供应商更新时间2024-4-30 15:57:00

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