BFR183W分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BFR183W |
| 参数属性 | BFR183W 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 |
| 功能描述 | Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor |
| 封装外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 文件大小 |
672.73 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 | INFINEON |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 9:20:00 |
| 人工找货 | BFR183W价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BFR183W规格书详情
BFR183W属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFR183W晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号：
BFR183WH6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
8GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- 增益：
18.5dB
- 功率 - 最大值：
450mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 15mA，8V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
65mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-70，SOT-323
- 供应商器件封装：
PG-SOT323
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INF |
23+ |
9516 |
询价 | ||||
INFINEO |
21+ |
42664 |
12588 |
原装正品假一罚十 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
SOT-23 |
10000 |
现货库存 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
SOT-323 |
156085 |
原装正品现货,可开13个点税 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-323 |
60000 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
标准封装 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
SOT323/343 |
7936 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
N/A |
9855 |
原装正品现货支持实单 |
询价 |
