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BLM8205B	文件：898.02 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling
BR8205	文件：1.41893 Mbytes Page：6 Pages	N-channelDoubleMOSFETinaSOT23-6PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
CEG8205	文件：123.43 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,4.5A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=2.5V. ■SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TSSOP-8forSurfaceMountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEG8205	文件：939.86 Kbytes Page：8 Pages	DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeOptionAvailable •TrenchFET®PowerMOSFETs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEG8205A	文件：123.47 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,6A,RDS(ON)=21mΩ(typ)@VGS=4.5V. RDS(ON)=30mΩ(typ)@VGS=2.5V. ■SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TSSOP-8forSurfaceMountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEG8205A	文件：653.37 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,6A,RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=35mW@VGS=2.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TSSOP-8forSurfaceMountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEH8205	文件：664.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,5.2A,RDS(ON)TYP=25mW@VGS=4.5V. RDS(ON)TYP=30mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. Leadfreeproductisacquired. Halogenfree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CJL8205	文件：709.13 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
CJS8205	文件：1.78498 Mbytes Page：5 Pages	DualN-channelMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
CMLM8205	文件：589.44 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTP-CHANNELMOSFETANDLOWVFSILICONSCHOTTKYDIODE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMLM8205isaMultiDiscreteModule™consistingofasingleP-Channelenhancement-modeMOSFETandalowVFSchottkydiodepackagedinaspacesavingSOT-563surfacemountcase.Thisdeviceisdesignedforsmallsignalgeneralpurposeapplicationswheresize	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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技术参数

漏击穿电压(V)：
12
栅级电压 (V)：
±8
连续漏电流(A)(25°C)：
21
阈值电压(V) 最小值/最大值：
0.5/1.3
Vgs=±4.5V(mΩ) 型：
4.8
Vgs=±2.5V(mΩ) 型：
5.8
应用：
Switch
交叉参考：
EFC6611

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更多AM8205C供应商更新时间2025-7-29 17:10:00

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