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FTK8205	文件：1.14323 Mbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GM8205	文件：310.74 Kbytes Page：3 Pages	DualN-channel20V,SOT-26MOSFET	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司	GSME
GM8205A	文件：351.4 Kbytes Page：4 Pages	DualN-channel20V,TSSOP-8MOSFET	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司	GSME
GM8205D	文件：421.14 Kbytes Page：4 Pages	DualN-channel20V,SOT-26MOSFET	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司	GSME
GTT8205S	文件：318.83 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GTT8205S	文件：318.83 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
GTT8205S	文件：330.99 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
GTT8205S-A	文件：1.86276 Mbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
H8205	文件：53.17 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A)	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
H8205A	文件：57.14 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A)	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC

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技术参数

漏击穿电压(V)：
12
栅级电压 (V)：
±8
连续漏电流(A)(25°C)：
21
阈值电压(V) 最小值/最大值：
0.5/1.3
Vgs=±4.5V(mΩ) 型：
4.8
Vgs=±2.5V(mΩ) 型：
5.8
应用：
Switch
交叉参考：
EFC6611

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更多AM8205C供应商更新时间2025-7-29 17:10:00

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