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AM313	文件：184.5 Kbytes Page：4 Pages	IC FOR PROXIMITY DETECTOR 文件：184.5 Kbytes 页数：4 Pages	AME 安茂微电子	AME
AM313	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC FOR PROXIMITY DETECTOR	AME 安茂微电子	AME
AM3134	文件：438.68 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET 20V N-CHANNEL ENHAANCEMENT MODE DESCRIPTION AM3134 is the N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced trench technology devices are well suited for high efficiency fast switching applications, low in-line power loss needed in small outline surface mount package. AM3 文件：438.68 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3134VM3R	文件：438.68 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET 20V N-CHANNEL ENHAANCEMENT MODE DESCRIPTION AM3134 is the N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced trench technology devices are well suited for high efficiency fast switching applications, low in-line power loss needed in small outline surface mount package. AM3 文件：438.68 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3134VM3VR	文件：438.68 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET 20V N-CHANNEL ENHAANCEMENT MODE DESCRIPTION AM3134 is the N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced trench technology devices are well suited for high efficiency fast switching applications, low in-line power loss needed in small outline surface mount package. AM3 文件：438.68 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3134	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOS管	AiT-Semi 创瑞科技	AiT-Semi

技术参数

VGS (V)：
±8
IDS (A) (25°C)：
0.8
VGS(TH) (V) Min/Max：
0.3/0.85
RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ：
–
Type：
N
ESD：
Yes
Vgs=±4.5V (mΩ) Typ：
200
Vgs=±2.5V (mΩ) Typ：
300
Vgs=±1.8V (mΩ) Typ：
500
Package Type：
SOT-723

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AM313供应商更新时间2026-1-24 15:14:00

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