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AP2301A	文件：656.61 Kbytes Page：17 Pages	2.0ASINGLECHANNELCURRENT-LIMITEDPOWERSWITCH Features -SingleChannelCurrent-LimitedPowerSwitch -OutputDischargeFunction -FastShort-CircuitResponseTime:2μs -2.5AAccurateCurrentLimiting -ReverseCurrentBlocking -70mΩon-Resistance -InputVoltageRange:2.7Vto5.5V -Built-inSoft-Startwith0.6msTypicalRiseTime	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
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AP2301GN	文件：72.82 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-23packageisuniversallypreferredforallcommercialindustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicati	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2301GN-HF	文件：102.69 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SurfaceMountDevice Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-23packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
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AP2301N	文件：77.05 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODE Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-23packageisuniversallypreferredforallcommercialindustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicati	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2301N	文件：1.023 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP2301SN	文件：374.52 Kbytes Page：18 Pages	2.0ASINGLECHANNELCURRENT-LIMITEDPOWERSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AP2301SN	文件：441.26 Kbytes Page：18 Pages	2.0ASINGLECHANNELCURRENT-LIMITEDPOWERSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
APM2301	文件：160.7 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-2.8A,RDS(ON)=72mΩ(typ.)@VGS=-10VRDS(ON)=100mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems.	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2301A	文件：160.7 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-2.8A,RDS(ON)=72mΩ(typ.)@VGS=-10VRDS(ON)=100mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems.	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2301AA	文件：112.78 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-3A, RDS(ON)=72mΩ(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=98mΩ(typ.)@VGS=-2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPowe	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC

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产品属性

产品编号：
ALD2301CPAL
制造商：
Advanced Linear Devices Inc.
类别：
集成电路（IC） > 比较器
包装：
卷带（TR）
类型：
通用
输出类型：
CMOS，NMOS，开路漏极，TTL
电压 - 供电，单/双 (±)：
3V ~ 10V，±1.5V ~ 5V
电压 - 输入补偿（最大值）：
20mV @ 5V
电流 - 输入偏置（最大值）：
4pA @ 5V
电流 - 输出（典型值）：
60mA
电流 - 静态（最大值）：
180µA
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
8-PDIP
描述：
IC COMP VOLT CMOS OD DUAL 8DIP

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更多ALD2301CPAL供应商更新时间2024-5-23 14:12:00

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